Electrical Parameters Extraction of CMOS Floating-Gate Inverters
This work provides an accurate methodology for extracting the floating-gate gain factory, of CMOS floating-gate inverters with a clock-driven switch for accessing temporarilly to the floating-gate. With the methodology proposed in this paper, the γ factor and other parasitic capacitances couple...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Εκδόθηκε σε: | Ingeniería. Investigación y Tecnología |
|---|---|
| Κύριοι συγγραφείς: | , , , , |
| Μορφή: | Artigo |
| Γλώσσα: | Inglês |
| Έκδοση: |
Universidad Nacional Autónoma de México
2010
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=40415987007 |
| Ετικέτες: |
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|