Electrical Parameters Extraction of CMOS Floating-Gate Inverters

This work provides an accurate methodology for extracting the floating-gate gain factory, of CMOS floating-gate inverters with a clock-driven switch for accessing temporarilly to the floating-gate. With the methodology proposed in this paper, the γ factor and other parasitic capacitances co...

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Detalles Bibliográficos
Publicado en:Ingeniería. Investigación y Tecnología
Main Authors: J.E. Molinar-Solís, V.H. Ponce-Ponce, R.Z. García-Lozano, A. Díaz-Sánchez, J.M. Rocha-Pérez
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado: Universidad Nacional Autónoma de México 2010
Assuntos:
Ingeniería
FG
gate
neuMOS
inverter
floating
Acceso en liña:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=40415987007
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