Electrical Parameters Extraction of CMOS Floating-Gate Inverters
This work provides an accurate methodology for extracting the floating-gate gain factory, of CMOS floating-gate inverters with a clock-driven switch for accessing temporarilly to the floating-gate. With the methodology proposed in this paper, the γ factor and other parasitic capacitances couple...
Сохранить в:
| Опубликовано в:: | Ingeniería. Investigación y Tecnología |
|---|---|
| Главные авторы: | , , , , |
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
Universidad Nacional Autónoma de México
2010
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=40415987007 |
| Метки: |
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|