Φορτώνει......
Investigation of 3.3 kV 4H-SiC DC-FSJ MOSFET Structures
This research proposes a novel 4H-SiC power device structure—different concentration floating superjunction MOSFET (DC-FSJ MOSFET). Through simulation via Synopsys Technology Computer Aided Design (TCAD) software, compared with the structural and static characteristics of the traditional vertical MO...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Τόπος έκδοσης: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| Κύριοι συγγραφείς: | , , , , |
| Μορφή: | Artigo |
| Γλώσσα: | Inglês |
| Έκδοση: |
MDPI
2021
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC8306660/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/34198997 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi12070756 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|