লোডিং...
A Dual Four-Quadrant Photodetector Based on Near-Infrared Enhanced Nanometer Black Silicon
In this paper, a new preparation process of nanometer black silicon is proposed, by which high trapping optical Se-doped black silicon material is prepared by nanosecond pulsed laser ablation of high-resistance silicon coated with Se film in HF gas atmosphere. The results indicate that the average a...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Springer US
2021
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7914334/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33638762 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-021-03499-x |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|