تحميل...
Benchmarking monolayer MoS(2) and WS(2) field-effect transistors
Here we benchmark device-to-device variation in field-effect transistors (FETs) based on monolayer MoS(2) and WS(2) films grown using metal-organic chemical vapor deposition process. Our study involves 230 MoS(2) FETs and 160 WS(2) FETs with channel lengths ranging from 5 μm down to 100 nm. We use s...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Nat Commun |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Nature Publishing Group UK
2021
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7846590/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33514710 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41467-020-20732-w |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|