טוען...
Benchmarking monolayer MoS(2) and WS(2) field-effect transistors
Here we benchmark device-to-device variation in field-effect transistors (FETs) based on monolayer MoS(2) and WS(2) films grown using metal-organic chemical vapor deposition process. Our study involves 230 MoS(2) FETs and 160 WS(2) FETs with channel lengths ranging from 5 μm down to 100 nm. We use s...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Nat Commun |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
Nature Publishing Group UK
2021
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7846590/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33514710 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41467-020-20732-w |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|