Effective Manipulation of Spin Dynamics by Polarization Electric Field in InGaN/GaN Quantum Wells at Room Temperature

III‐nitride wide bandgap semiconductors are favorable materials for developing room temperature spintronic devices. The effective manipulation of spin dynamics is a critical request to realize spin field‐effect transistor (FET). In this work, the dependence of the spin relaxation time on external st...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Adv Sci (Weinh)
Główni autorzy: Liu, Xingchen, Tang, Ning, Zhang, Shixiong, Zhang, Xiaoyue, Guan, Hongming, Zhang, Yunfan, Qian, Xuan, Ji, Yang, Ge, Weikun, Shen, Bo
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: John Wiley and Sons Inc. 2020
Hasła przedmiotowe:
Full Papers
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7341096/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32670748
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1002/advs.201903400
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Podobne zapisy