טוען...
Enhanced Light Emission due to Formation of Semi-polar InGaN/GaN Multi-quantum Wells
InGaN/GaN multi-quantum wells (MQWs) are grown on (0001) sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) with special growth parameters to form V-shaped pits simultaneously. Measurements by atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM) demonstrate th...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
Springer US
2015
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4666851/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26625883 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-015-1171-1 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|