Đang tải...

Patterned growth of InGaN/GaN quantum wells on freestanding GaN grating by molecular beam epitaxy

We report here the epitaxial growth of InGaN/GaN quantum wells on freestanding GaN gratings by molecular beam epitaxy (MBE). Various GaN gratings are defined by electron beam lithography and realized on GaN-on-silicon substrate by fast atom beam etching. Silicon substrate beneath GaN grating region...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Wang, Yongjin, Hu, Fangren, Hane, Kazuhiro
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Springer 2011
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3211162/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21711618
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-117
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!