טוען...

Patterned growth of InGaN/GaN quantum wells on freestanding GaN grating by molecular beam epitaxy

We report here the epitaxial growth of InGaN/GaN quantum wells on freestanding GaN gratings by molecular beam epitaxy (MBE). Various GaN gratings are defined by electron beam lithography and realized on GaN-on-silicon substrate by fast atom beam etching. Silicon substrate beneath GaN grating region...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Main Authors: Wang, Yongjin, Hu, Fangren, Hane, Kazuhiro
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Springer 2011
נושאים:
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3211162/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21711618
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-117
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!