Đang tải...
Patterned growth of InGaN/GaN quantum wells on freestanding GaN grating by molecular beam epitaxy
We report here the epitaxial growth of InGaN/GaN quantum wells on freestanding GaN gratings by molecular beam epitaxy (MBE). Various GaN gratings are defined by electron beam lithography and realized on GaN-on-silicon substrate by fast atom beam etching. Silicon substrate beneath GaN grating region...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer
2011
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3211162/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21711618 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-117 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|