Đang tải...
Growth of GaN nanowall network on Si (111) substrate by molecular beam epitaxy
GaN nanowall network was epitaxially grown on Si (111) substrate by molecular beam epitaxy. GaN nanowalls overlap and interlace with one another, together with large numbers of holes, forming a continuous porous GaN nanowall network. The width of the GaN nanowall can be controlled, ranging from 30 t...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer
2012
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3564710/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/23270331 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-686 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|