Effective Manipulation of Spin Dynamics by Polarization Electric Field in InGaN/GaN Quantum Wells at Room Temperature

III‐nitride wide bandgap semiconductors are favorable materials for developing room temperature spintronic devices. The effective manipulation of spin dynamics is a critical request to realize spin field‐effect transistor (FET). In this work, the dependence of the spin relaxation time on external st...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Adv Sci (Weinh)
Main Authors: Liu, Xingchen, Tang, Ning, Zhang, Shixiong, Zhang, Xiaoyue, Guan, Hongming, Zhang, Yunfan, Qian, Xuan, Ji, Yang, Ge, Weikun, Shen, Bo
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: John Wiley and Sons Inc. 2020
נושאים:
Full Papers
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7341096/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32670748
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1002/advs.201903400
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים