Đang tải...
Effects of thermal annealing on localization and strain in core/multishell GaAs/GaNAs/GaAs nanowires
Core/shell nanowire (NW) heterostructures based on III-V semiconductors and related alloys are attractive for optoelectronic and photonic applications owing to the ability to modify their electronic structure via bandgap and strain engineering. Post-growth thermal annealing of such NWs is often invo...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group UK
2020
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7237432/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32427905 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-020-64958-6 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|