تحميل...

Study of narrow negative magnetoresistance effect in ultra-high mobility GaAs/AlGaAs 2DES under microwave photo-excitation

The microwave-induced change in the narrow negative magnetoresistance effect that appears around zero magnetic field in high mobility GaAs/AlGaAs 2DES (≈10(7) cm(2)/Vs) is experimentally examined as a function of incident microwave power at a fixed bath temperature. The experimental results indicate...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Sci Rep
المؤلفون الرئيسيون: Samaraweera, R. L., Gunawardana, B., Nanayakkara, T. R., Munasinghe, R. C., Kriisa, A., Reichl, C., Wegscheider, W., Mani, R. G.
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: Nature Publishing Group UK 2020
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6972946/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31964912
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-57331-9
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!