Đang tải...
Annealing of Boron-Doped Hydrogenated Crystalline Silicon Grown at Low Temperature by PECVD
We investigate low-temperature (<200 °C) plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) for the formation of p–n junctions. Compared to the standard diffusion or implantation processes, silicon growth at low temperature by PECVD ensures a lower thermal budget and a better control of the doping...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI
2019
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6887746/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31752297 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma12223795 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|