Temperature Dependence Of AOS Thin Film Nano Transistors For Medical Applications

BACKGROUND: A novel temperature dependent amorphous nano oxide semiconductor (AOS) thin-film transistor (TFT) is reported here for the first time, which is vastly different from conventional behavior. In the literature, the threshold voltage of TFTs decreases with increasing temperature. Here, the t...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Int J Nanomedicine
Main Authors: Huo, Changhe, Dai, Mingzhi, Hu, Yongbin, Zhang, Xingye, Wang, Weiliang, Zhang, Hengbo, Jiang, Kemin, Wang, Pengjun, Webster, Thomas J, Guo, Liqiang, Zhu, Wenqing
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Dove 2019
נושאים:
Original Research
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6842275/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31806964
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.2147/IJN.S208023
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים