Low-Resistance, High-Yield Electrical Contacts to Atom Scale Si:P Devices Using Palladium Silicide

Scanning tunneling microscopy (STM) enables the fabrication of two-dimensional δ-doped structures in Si with atomistic precision, with applications from tunnel field-effect transistors to qubits. The combination of a very small contact area and the restrictive thermal budget necessary to maintain th...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Phys Rev Appl
Những tác giả chính: Schmucker, Scott W., Namboodiri, Pradeep N., Kashid, Ranjit, Wang, Xiqiao, Hu, Binhui, Wyrick, Jonathan E., Myers, Alline F., Schumacher, Joshua D., Silver, Richard M., Stewart, M. D.
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: 2019
Những chủ đề:
Article
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6774366/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31579257
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1103/PhysRevApplied.11.034071
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự