Ładuje się......

Uniform Vapor-Pressure-Based Chemical Vapor Deposition Growth of MoS(2) Using MoO(3) Thin Film as a Precursor for Coevaporation

[Image: see text] Chemical vapor deposition (CVD) is a powerful method employed for high-quality monolayer crystal growth of 2D transition metal dichalcogenides with much effort invested toward improving the growth process. Here, we report a novel method for CVD-based growth of monolayer molybdenum...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:ACS Omega
Główni autorzy: Withanage, Sajeevi S., Kalita, Hirokjyoti, Chung, Hee-Suk, Roy, Tania, Jung, Yeonwoong, Khondaker, Saiful I.
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: American Chemical Society 2018
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6643554/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31458458
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/acsomega.8b02978
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!