Загрузка...
Computational Study of MoS(2)/HfO(2) Defective Interfaces for Nanometer-Scale Electronics
[Image: see text] Atomic structures and electronic properties of MoS(2)/HfO(2) defective interfaces are investigated extensively for future field-effect transistor device applications. To mimic the atomic layer deposition growth under ambient conditions, the impact of interfacial oxygen concentratio...
Сохранить в:
| Опубликовано в: : | ACS Omega |
|---|---|
| Главные авторы: | , , , |
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
American Chemical Society
2017
|
| Online-ссылка: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6641027/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31457620 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/acsomega.7b00636 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|