Top-down GaN nanowire transistors with nearly zero gate hysteresis for parallel vertical electronics

This paper reports on the direct qualitative and quantitative performance comparisons of the field-effect transistors (FETs) based on vertical gallium nitride nanowires (GaN NWs) with different NW numbers (i.e., 1–100) and diameters (i.e., 220–640 nm) fabricated on the same wafer substrate to prove...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Sci Rep
Główni autorzy: Fatahilah, Muhammad Fahlesa, Yu, Feng, Strempel, Klaas, Römer, Friedhard, Maradan, Dario, Meneghini, Matteo, Bakin, Andrey, Hohls, Frank, Schumacher, Hans Werner, Witzigmann, Bernd, Waag, Andreas, Wasisto, Hutomo Suryo
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: Nature Publishing Group UK 2019
Hasła przedmiotowe:
Article
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6635513/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31311946
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-46186-9
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Podobne zapisy