Fatahilah, M. F., Yu, F., Strempel, K., Römer, F., Maradan, D., Meneghini, M., . . . Wasisto, H. S. (2019). Top-down GaN nanowire transistors with nearly zero gate hysteresis for parallel vertical electronics. Sci Rep.
Citação norma ChicagoFatahilah, Muhammad Fahlesa, et al. "Top-down GaN Nanowire Transistors With Nearly Zero Gate Hysteresis for Parallel Vertical Electronics." Sci Rep 2019.
Citação norma MLAFatahilah, Muhammad Fahlesa, et al. "Top-down GaN Nanowire Transistors With Nearly Zero Gate Hysteresis for Parallel Vertical Electronics." Sci Rep 2019.
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