Ładuje się......
Revealing the intrinsic nature of the mid-gap defects in amorphous Ge(2)Sb(2)Te(5)
Understanding the relation between the time-dependent resistance drift in the amorphous state of phase-change materials and the localised states in the band gap of the glass is crucial for the development of memory devices with increased storage density. Here a machine-learned interatomic potential...
Zapisane w:
| Wydane w: | Nat Commun |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Nature Publishing Group UK
2019
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6624207/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31296874 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41467-019-10980-w |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|