Đang tải...
Investigation of Nitridation on the Band Alignment at MoS(2)/HfO(2) Interfaces
The effect of nitridation treatment on the band alignment between few-layer MoS(2) and HfO(2) has been investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. The valence (conduction) band offsets of MoS(2)/HfO(2) with and without nitridation treatment were determined to be 2.09 ± 0.1 (2.41 ± 0.1) and 2.3...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer US
2019
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6541675/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31144185 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-019-3020-0 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|