Đang tải...
Electron Enhanced Growth of Crystalline Gallium Nitride Thin Films at Room Temperature and 100 °C Using Sequential Surface Reactions
Low energy electrons may provide mechanisms to enhance thin film growth at low temperatures. As a proof of concept, this work demonstrated the deposition of gallium nitride (GaN) films over areas of ∼5 cm(2) at room temperature and 100 °C using electrons with a low energy of 50 eV from an electron f...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Chem Mater |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
2016
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6513341/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31092972 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.6b00676 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|