Ładuje się......
Monolithic multiple colour emission from InGaN grown on patterned non-polar GaN
A novel overgrowth approach has been developed in order to create a multiple-facet structure consisting of only non-polar and semi-polar GaN facets without involving any c-plane facets, allowing the major drawbacks of utilising c-plane GaN for the growth of III-nitride optoelectronics to be eliminat...
Zapisane w:
| Wydane w: | Sci Rep |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Nature Publishing Group UK
2019
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6353934/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30700776 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-37575-7 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|