טוען...
Improvement of Electrical Performance in P-Channel LTPS Thin-Film Transistor with a-Si:H Surface Passivation
We report the effects of surface passivation by depositing a hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) layer on the electrical characteristics of low temperature polycrystalline silicon thin film transistors (LTPS TFTs). The intrinsic a-Si:H layer was optimized by hydrogen dilution and its structural...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
MDPI
2019
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6337170/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30621000 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma12010161 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|