تحميل...
Step-Double-Zone-JTE for SiC Devices with Increased Tolerance to JTE Dose and Surface Charges
In this paper, an edge termination structure, referred to as step-double-zone junction termination extension (Step-DZ-JTE), is proposed. Step-DZ-JTE further improves the distribution of the electric field (EF) by its own step shape. Step-DZ-JTE and other termination structures are investigated for c...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI
2018
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6315798/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30469458 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi9120610 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|