Đang tải...
3D Numerical Simulation of a Z Gate Layout MOSFET for Radiation Tolerance
In this paper, for the first time, an n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (NMOSFET) layout with a Z gate and an improved total ionizing dose (TID) tolerance is proposed. The novel layout can be radiation-hardened with a fixed charge density at the shallow trench isolation (ST...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI
2018
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6315489/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30558147 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi9120659 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|