Načítá se...
Fabrication of Schottky Diodes on Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy
Heterostructure field effect transistors (HFETs) utilizing a two dimensional electron gas (2DEG) channel have a great potential for high speed device applications. Zinc oxide (ZnO), a semiconductor with a wide bandgap (3.4 eV) and high electron saturation velocity has gained a great deal of attentio...
Uloženo v:
| Vydáno v: | J Vis Exp |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , , , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
MyJove Corporation
2018
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6235586/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30417860 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3791/58113 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|