লোডিং...
High-Temperature Molecular Beam Epitaxy of Hexagonal Boron Nitride with High Active Nitrogen Fluxes
Hexagonal boron nitride (hBN) has attracted a great deal of attention as a key component in van der Waals (vdW) heterostructures, and as a wide band gap material for deep-ultraviolet devices. We have recently demonstrated plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) of hBN layers on substrates of...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Materials (Basel) |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI
2018
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6073546/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29966333 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma11071119 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|