Ładuje się......
High-Temperature Molecular Beam Epitaxy of Hexagonal Boron Nitride with High Active Nitrogen Fluxes
Hexagonal boron nitride (hBN) has attracted a great deal of attention as a key component in van der Waals (vdW) heterostructures, and as a wide band gap material for deep-ultraviolet devices. We have recently demonstrated plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) of hBN layers on substrates of...
Zapisane w:
| Wydane w: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
MDPI
2018
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6073546/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29966333 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma11071119 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|