Đang tải...
Boron-Doping Proximity Effects on Dislocation Generation during Non-Planar MPCVD Homoepitaxial Diamond Growth
Epitaxial lateral growth will be required if complex diamond-based device architecture, such as, for example, Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistors (MOSFETs) or epitaxial lateral overgrowth (ELO) substrates, need to be developed for high-power applications. To this end, undoped and dope...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nanomaterials (Basel) |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI
2018
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6070895/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29966282 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano8070480 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|