تحميل...
The Effect of Buffer Types on the In(0.82)Ga(0.18)As Epitaxial Layer Grown on an InP (100) Substrate
In(0.82)Ga(0.18)As epitaxial layers were grown on InP (100) substrates at 530 °C by a low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) technique. The effects of different buffer structures, such as a single buffer layer, compositionally graded buffer layers, and superlattice buffer lay...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Materials (Basel) |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI
2018
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6025214/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29890689 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma11060975 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|