Φορτώνει......
Zero-static power radio-frequency switches based on MoS(2) atomristors
Recently, non-volatile resistance switching or memristor (equivalently, atomristor in atomic layers) effect was discovered in transitional metal dichalcogenides (TMD) vertical devices. Owing to the monolayer-thin transport and high crystalline quality, ON-state resistances below 10 Ω are achievable,...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Τόπος έκδοσης: | Nat Commun |
|---|---|
| Κύριοι συγγραφείς: | , , , , , , |
| Μορφή: | Artigo |
| Γλώσσα: | Inglês |
| Έκδοση: |
Nature Publishing Group UK
2018
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6023925/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29955064 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41467-018-04934-x |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|