Corrigendum: MoS(2) memristor with photoresistive switching

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Detalles Bibliográficos
Publicado en:Sci Rep
Autores principales: Wang, Wei, Panin, Gennady N., Fu, Xiao, Zhang, Lei, Ilanchezhiyan, P., Pelenovich, Vasiliy O., Fu, Dejun, Kang, Tae Won
Formato: Artigo
Lenguaje:Inglês
Publicado: Nature Publishing Group 2016
Materias:
Corrigenda
Acceso en línea:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5107931/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27841272
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep33107
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