Ładuje się......

Heavily Boron-Doped Silicon Layer for the Fabrication of Nanoscale Thermoelectric Devices

Heavily boron-doped silicon layers and boron etch-stop techniques have been widely used in the fabrication of microelectromechanical systems (MEMS). This paper provides an introduction to the fabrication process of nanoscale silicon thermoelectric devices. Low-dimensional structures such as silicon...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Nanomaterials (Basel)
Główni autorzy: Ma, Zhe, Liu, Yang, Deng, Lingxiao, Zhang, Mingliang, Zhang, Shuyuan, Ma, Jing, Song, Peishuai, Liu, Qing, Ji, An, Yang, Fuhua, Wang, Xiaodong
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: MDPI 2018
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5853709/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29385759
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano8020077
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!