Ładuje się......
Heavily Boron-Doped Silicon Layer for the Fabrication of Nanoscale Thermoelectric Devices
Heavily boron-doped silicon layers and boron etch-stop techniques have been widely used in the fabrication of microelectromechanical systems (MEMS). This paper provides an introduction to the fabrication process of nanoscale silicon thermoelectric devices. Low-dimensional structures such as silicon...
Zapisane w:
| Wydane w: | Nanomaterials (Basel) |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
MDPI
2018
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5853709/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29385759 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano8020077 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|