Yüklüyor......
Nonvolatile Resistive Switching Memory Utilizing Cobalt Embedded in Gelatin
This study investigates the preparation and electrical properties of Al/cobalt-embedded gelatin (CoG)/ indium tin oxide (ITO) resistive switching memories. Co. elements can be uniformly distributed in gelatin without a conventional dispersion procedure, as confirmed through energy dispersive X-ray a...
Kaydedildi:
| Yayımlandı: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Asıl Yazarlar: | , , , |
| Materyal Türü: | Artigo |
| Dil: | Inglês |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
MDPI
2017
|
| Konular: | |
| Online Erişim: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5793530/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29278374 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma11010032 |
| Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|