লোডিং...
Improved Linearity with Polarization Coulomb Field Scattering in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors
The single-tone power of the AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) with different gate widths was measured. A distinct improvement in device linearity was observed in the sample with a larger gate width. The analysis of the variation of the parasitic source access resistance sho...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Sci Rep |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Nature Publishing Group UK
2018
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5772463/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29343744 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-19510-y |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|