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Epitaxial graphene homogeneity and quantum Hall effect in millimeter-scale devices

Quantized magnetotransport is observed in 5.6 × 5.6 mm(2) epitaxial graphene devices, grown using highly constrained sublimation on the Si-face of SiC(0001) at high temperature (1900 °C). The precise quantized Hall resistance of [Formula: see text] is maintained up to record level of critical curren...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Carbon N Y
Hauptverfasser: Yang, Yanfei, Cheng, Guangjun, Mende, Patrick, Calizo, Irene G., Feenstra, Randall M., Chuang, Chiashain, Liu, Chieh-Wen, Liu, Chieh-I., Jones, George R., Hight Walker, Angela R., Elmquist, Randolph E.
Format: Artigo
Sprache:Inglês
Veröffentlicht: 2016
Schlagworte:
Online Zugang:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5600207/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28924301
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2016.12.087
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