লোডিং...
Insulator-quantum Hall transitionin monolayer epitaxial graphene
We report on magneto-transport measurements on low-density, large-area monolayer epitaxial graphene devices grown on SiC. We observe temperature (T)-independent crossing points in the longitudinal resistivity ρ(xx), which are signatures of the insulator-quantum Hall (I-QH) transition, in all three d...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | RSC Adv |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
2016
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5134328/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27920902 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1039/C6RA07859A |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|