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Insulator-quantum Hall transitionin monolayer epitaxial graphene

We report on magneto-transport measurements on low-density, large-area monolayer epitaxial graphene devices grown on SiC. We observe temperature (T)-independent crossing points in the longitudinal resistivity ρ(xx), which are signatures of the insulator-quantum Hall (I-QH) transition, in all three d...

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Pubblicato in:RSC Adv
Autori principali: Huang, Lung-I, Yang, Yanfei, Elmquist, Randolph E., Lo, Shun-Tsung, Liu, Fan-Hung, Liang, Chi-Te
Natura: Artigo
Lingua:Inglês
Pubblicazione: 2016
Soggetti:
Accesso online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5134328/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27920902
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1039/C6RA07859A
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