लोड हो रहा है...
Insulator-quantum Hall transitionin monolayer epitaxial graphene
We report on magneto-transport measurements on low-density, large-area monolayer epitaxial graphene devices grown on SiC. We observe temperature (T)-independent crossing points in the longitudinal resistivity ρ(xx), which are signatures of the insulator-quantum Hall (I-QH) transition, in all three d...
में बचाया:
| में प्रकाशित: | RSC Adv |
|---|---|
| मुख्य लेखकों: | , , , , , |
| स्वरूप: | Artigo |
| भाषा: | Inglês |
| प्रकाशित: |
2016
|
| विषय: | |
| ऑनलाइन पहुंच: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5134328/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27920902 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1039/C6RA07859A |
| टैग : |
टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|