Đang tải...
Towards InAs/InGaAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells Directly Grown on Si Substrate
This paper reports on an initial assessment of the direct growth of In(Ga)As/GaAs quantum dots (QDs) solar cells on nanostructured surface Si substrate by molecular beam epitaxy (MBE). The effect of inserting 40 InAs/InGaAs/GaAs QDs layers in the intrinsic region of the heterojunction pin-GaAs/n(+)-...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI
2015
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5455635/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28793455 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma8074544 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|