Načítá se...
Towards InAs/InGaAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells Directly Grown on Si Substrate
This paper reports on an initial assessment of the direct growth of In(Ga)As/GaAs quantum dots (QDs) solar cells on nanostructured surface Si substrate by molecular beam epitaxy (MBE). The effect of inserting 40 InAs/InGaAs/GaAs QDs layers in the intrinsic region of the heterojunction pin-GaAs/n(+)-...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , , , , , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
MDPI
2015
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5455635/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28793455 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma8074544 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|