Towards InAs/InGaAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells Directly Grown on Si Substrate

This paper reports on an initial assessment of the direct growth of In(Ga)As/GaAs quantum dots (QDs) solar cells on nanostructured surface Si substrate by molecular beam epitaxy (MBE). The effect of inserting 40 InAs/InGaAs/GaAs QDs layers in the intrinsic region of the heterojunction pin-GaAs/n(+)-...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Materials (Basel)
Hauptverfasser: Azeza, Bilel, Hadj Alouane, Mohamed Helmi, Ilahi, Bouraoui, Patriarche, Gilles, Sfaxi, Larbi, Fouzri, Afif, Maaref, Hassen, M’ghaieth, Ridha
Format: Artigo
Sprache:Inglês
Veröffentlicht: MDPI 2015
Schlagworte:
Article
Online Zugang:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5455635/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28793455
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma8074544
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