Загрузка...
Towards InAs/InGaAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells Directly Grown on Si Substrate
This paper reports on an initial assessment of the direct growth of In(Ga)As/GaAs quantum dots (QDs) solar cells on nanostructured surface Si substrate by molecular beam epitaxy (MBE). The effect of inserting 40 InAs/InGaAs/GaAs QDs layers in the intrinsic region of the heterojunction pin-GaAs/n(+)-...
Сохранить в:
| Опубликовано в: : | Materials (Basel) |
|---|---|
| Главные авторы: | , , , , , , , |
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
MDPI
2015
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5455635/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28793455 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma8074544 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|