Ładuje się......
Surface Morphology Evolution Mechanisms of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells with Mixture N(2)/H(2)-Grown GaN Barrier
Surface morphology evolution mechanisms of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) during GaN barrier growth with different hydrogen (H(2)) percentages have been systematically studied. Ga surface-diffusion rate, stress relaxation, and H(2) etching effect are found to be the main affecting factors o...
Zapisane w:
| Wydane w: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Springer US
2017
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5433960/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28511535 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2115-8 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|