טוען...
Band Offsets and Interfacial Properties of HfAlO Gate Dielectric Grown on InP by Atomic Layer Deposition
X-ray photoelectron spectroscopy and high-resolution transmission electron microscopy have been used to determine interfacial properties of HfO(2) and HfAlO gate dielectrics grown on InP by atomic layer deposition. An undesirable interfacial InP(x)O(y) layer is easily formed at the HfO(2)/InP interf...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
Springer US
2017
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5422219/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28486796 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2104-y |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|