Ultralow Surface Recombination Velocity in Passivated InGaAs/InP Nanopillars

[Image: see text] The III–V semiconductor InGaAs is a key material for photonics because it provides optical emission and absorption in the 1.55 μm telecommunication wavelength window. However, InGaAs suffers from pronounced nonradiative effects associated with its surface states, which affect the p...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Опубликовано в: :Nano Lett
Главные авторы: Higuera-Rodriguez, A., Romeira, B., Birindelli, S., Black, L. E., Smalbrugge, E., van Veldhoven, P. J., Kessels, W. M. M., Smit, M. K., Fiore, A.
Формат: Artigo
Язык:Inglês
Опубликовано: American Chemical Society 2017
Online-ссылка:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5391499/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28340296
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.7b00430
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Схожие документы