Ładuje się......

Structural Properties Characterized by the Film Thickness and Annealing Temperature for La(2)O(3) Films Grown by Atomic Layer Deposition

La(2)O(3) films were grown on Si substrates by atomic layer deposition technique with different thickness. Crystallization characteristics of the La(2)O(3) films were analyzed by grazing incidence X-ray diffraction after post-deposition rapid thermal annealing treatments at several annealing tempera...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Nanoscale Res Lett
Główni autorzy: Wang, Xing, Liu, Hongxia, Zhao, Lu, Fei, Chenxi, Feng, Xingyao, Chen, Shupeng, Wang, Yongte
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: Springer US 2017
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5371540/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28359142
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2018-8
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!