Đang tải...

Room temperature electrically tunable rectification magnetoresistance in Ge-based Schottky devices

Electrical control of magnetotransport properties is crucial for device applications in the field of spintronics. In this work, as an extension of our previous observation of rectification magnetoresistance, an innovative technique for electrical control of rectification magnetoresistance has been d...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Sci Rep
Những tác giả chính: Huang, Qi-kun, Yan, Yi, Zhang, Kun, Li, Huan-huan, Kang, Shishou, Tian, Yu-feng
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Nature Publishing Group 2016
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5120293/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27876868
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep37748
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!