Đang tải...
Gate-tunable large magnetoresistance in an all-semiconductor spin valve device
A large spin-dependent and electric field-tunable magnetoresistance of a two-dimensional electron system is a key ingredient for the realization of many novel concepts for spin-based electronic devices. The low magnetoresistance observed during the last few decades in devices with lateral semiconduc...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nat Commun |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group UK
2017
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5702618/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29176607 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41467-017-01933-2 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|