Ładuje się......

Low-temperature-dependent property in an avalanche photodiode based on GaN/AlN periodically-stacked structure

In ultra-high sensitive APDs, a vibrate of temperature might bring a fatal decline of the multiplication performance. Conventional method to realize a temperature-stable APD focuses on the optimization of device structure, which has limited effects. While in this paper, a solution by reducing the ca...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Sci Rep
Główni autorzy: Zheng, Jiyuan, Wang, Lai, Yang, Di, Yu, Jiadong, Meng, Xiao, Hao, Zhibiao, Sun, Changzheng, Xiong, Bing, Luo, Yi, Han, Yanjun, Wang, Jian, Li, Hongtao, Li, Mo, Li, Qian
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: Nature Publishing Group 2016
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5075870/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27775088
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep35978
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!